ARM与台积电宣布共同采用10nm FinFET工艺 -

标题: ARM与台积电宣布共同采用10nm FinFET工艺 [打印本页]

作者: xuyiwx 时间: 2014-10-3 08:44
标题: ARM与台积电宣布共同采用10nm FinFET工艺
在宣布将以16nm FinFET制程技术量产ARM 64位处理器后，台积电再进一步与ARM携手宣布，未来将透过10nm FinFET制程技术制作64位架构ARMv8-A处理器，预计最快在2015年第四季启用此项技术，届时将可支持各客户采用10nm FinFET制程技术完成64位ARM架构处理器的设计定案。
进一步缩减制程技术后，预期将使相同架构处理器产品能以更少电功耗发挥更高的运作效能，或是更进一步缩减硬件产品体积、散热所需空间等特性
由于稍早台积电宣布将以16nm FinFET制程技术量产ARM 64位处理器后，三星随即也宣布将以14nm制程技术抢下苹果下一款处理器产品订单，因此台积电选择此时再次强调旗下10nm FinFET制程技术即将启用消息，也似乎有向三星叫阵意味。
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